納米晶導磁片

MAGIELD?屏蔽片根據(jù)不同種類軟磁材料分為非晶屏蔽片和納米晶導磁片兩類。MAGIELD?屏蔽片是采用單層或多層高品質的非晶帶材或納米晶帶材復合制備而成。MAGIELD?屏蔽片具有高磁導率、低損耗性能，可以有效降低磁場對周圍環(huán)境的電磁干擾,廣泛用于航空航天、汽車、通訊等電子設備的抗EMI、電磁屏和無線充電。

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技術資料

特點及優(yōu)勢
典型應用
參數(shù)說明

特點及優(yōu)勢

與鐵氧體軟磁屏蔽材料相比，MAGIELD^?屏蔽片厚度薄，柔韌性好，易于加工，工作頻率范圍寬，適用于各種電子產品的磁屏蔽。在無線充電應用中，由于MAGIELD^?屏蔽片磁導率任意可調，抗飽和電流性能好，適用于大功率無線充電。

典型應用

屏蔽片主要用于各類電子產品的抗EMI，電磁屏，NFC及無線充電。

參數(shù)說明

編碼	產品描述	總厚度(μm)	合金厚度(μm)	膠粘劑厚度 (μm)	可用尺寸
					片^①	卷^②
					*LW(mmmm)*	寬度 (mm)	長度 (m)
MDWA045025	1 Layer Amorphous	45±4	25	5	√	?55/60/65	≤400
MDWA070050	2 Layer Amorphous	70±7	50	3	√	?55/60/65	≤200
MDWA100080	3 Layer Amorphous	100±10	80	3	√	?55/60/65	≤200
MDWA125105	4 Layer Amorphous	125±12	105	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA155135	5 Layer Amorphous	155±15	135	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA180160	6 Layer Amorphous	180±18	160	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA210190	7 Layer Amorphous	210±20	190	3	√	?55/60/65	/
MDWA235215	8 Layer Amorphous	235±23	215	3	√	?55/60/65	/
MDWA265245	9 Layer Amorphous	265±26	245	3	√	?55/60/65	/
MDWA290270	10 Layer Amorphous	290±29	270	3	√	?55/60/65	/
MDWN040020	1 Layer Nanocrystalline	40±4	20	3	√	?55/60/65	≤400
MDWN060045	2 Layer Nanocrystalline	60±6	45	3	√	?55/60/65	≤200
MDWN090070	3 Layer Nanocrystalline	90±8	70	3	√	?55/60/65	≤200
MDWN110090	4 Layer Nanocrystalline	110±10	90	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN135120	5 Layer Nanocrystalline	135±13	120	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN160140	6 Layer Nanocrystalline	160±16	140	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN185165	7 Layer Nanocrystalline	185±18	165	3	√	?55/60/65	/
MDWN210190	8 Layer Nanocrystalline	210±21	190	3	√	?55/60/65	/
MDWN235215	9 Layer Nanocrystalline	235±23	215	3	√	?55/60/65	/
MDWN260240	10 Layer Nanocrystalline	260±25	240	3	√	?55/60/65	/
Note: ①片：定制，取決于圖紙
????????? ②卷：其他尺寸可由客戶定制